晶片的加工方法
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摘要
提供晶片的加工方法，既能够抑制碎裂或缺陷的产生又能够对晶片进行适当地分割。一种晶片的加工方法，其中，该晶片的加工方法包含如下步骤：第1激光加工步骤，沿着第1分割预定线照射对于晶片具有透过性的波长的激光束，在晶片的内部形成第1改质层；第2激光加工步骤，沿着第2分割预定线照射对于晶片具有透过性的波长的激光束，在除去第1分割预定线和第2分割预定线相交叉的交叉区域内的非加工区域之外的晶片的内部形成第2改质层；以及磨削步骤，对晶片的背面进行磨削而使晶片薄化至规定的厚度，并且以第1改质层和第2改质层为起点将晶片分割成多个芯片，在第2激光加工步骤中，不在非加工区域中形成第2改质层。
基本信息
专利标题 ：
晶片的加工方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107946242A
申请号 ：
CN201710928666.7
公开（公告）日 ：
2018-04-20
申请日 ：
2017-10-09
授权号 ：
CN107946242B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
裵泰羽
申请人 ：
株式会社迪思科
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
于靖帅
优先权 ：
CN201710928666.7
主分类号 ：
H01L21/78
IPC分类号 ：
H01L21/78 B23K26/38
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2019-10-11 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/78
申请日 : 20171009
申请日 : 20171009
2018-04-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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