晶片的加工方法
公开
摘要
本发明提供晶片的加工方法，在通过等离子蚀刻对形成有钝化膜的晶片进行分割时，能够抑制钝化膜因散射光或穿过光而剥落的可能性。晶片的加工方法中，对分割预定线照射激光光线而去除层叠在分割预定线上的钝化膜并使半导体基板沿着分割预定线露出，然后在晶片的正面上覆盖树脂而形成保护膜，对分割预定线照射激光光线，去除层叠在分割预定线上的保护膜。接着，在使半导体基板沿着分割预定线露出之后，将保护膜作为遮蔽膜，通过等离子蚀刻对沿着分割预定线露出的半导体基板进行分割。
基本信息
专利标题 ：
晶片的加工方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267637A
申请号 ：
CN202111043552.7
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-09-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
铃木稔
申请人 ：
株式会社迪思科
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
于靖帅
优先权 ：
CN202111043552.7
主分类号 ：
H01L21/78
IPC分类号 ：
H01L21/78 H01L21/3065 H01L21/311 H01L21/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
法律状态
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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