晶片的加工方法
公开
摘要
本发明提供晶片的加工方法，在激光加工前对晶片的背面的膜进行磨削时，能够抑制磨削磨具的堵塞。晶片的加工方法包含如下的步骤：激光加工槽形成步骤，通过对于膜或基板具有吸收性的波长的激光光线，在晶片的背面形成将膜局部地去除的激光加工槽；预备磨削步骤，对晶片的背面进行磨削而将膜和激光加工槽去除，形成规定以上的厚度的晶片；改质层形成步骤，将对于基板具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于基板的内部而从晶片的背面侧进行照射，在基板的内部形成沿着分割预定线的改质层；以及磨削步骤，从背面侧对晶片进行磨削，将晶片薄化至完工厚度，并且沿着改质层将晶片分割成芯片。
基本信息
专利标题 ：
晶片的加工方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464572A
申请号 ：
CN202111312130.5
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2021-11-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
中村胜
申请人 ：
株式会社迪思科
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨俊波
优先权 ：
CN202111312130.5
主分类号 ：
H01L21/78
IPC分类号 ：
H01L21/78 H01L21/3105 H01L21/304 B23K26/382
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
法律状态
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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