晶片的加工方法
公开
摘要
本发明提供晶片的加工方法，能够抑制对进行了边缘修整的晶片进行磨削时所产生的边角料的大小。晶片的加工方法包含如下的步骤：修整步骤，在倒角部使切削刀具从晶片的正面切入至超过完工厚度的深度并沿着外周缘进行切削，在外周剩余区域形成环状的阶梯差部；保护部件粘贴步骤，在晶片的正面侧粘贴保护部件；磨削步骤，从背面对晶片进行磨削而将晶片薄化至完工厚度；以及激光加工步骤，在实施了修整步骤之后且在实施磨削步骤之前，向环状的阶梯差部照射对于晶片具有透过性的波长的激光束，在阶梯差部形成因通过磨削而赋予的按压力进行断裂的环状改质层，使通过磨削步骤而产生的阶梯差部的边角料细分化。
基本信息
专利标题 ：
晶片的加工方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582718A
申请号 ：
CN202111383571.4
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2021-11-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
中村胜
申请人 ：
株式会社迪思科
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨俊波
优先权 ：
CN202111383571.4
主分类号 ：
H01L21/304
IPC分类号 ：
H01L21/304 H01L21/268 H01L21/67 H01L21/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/304
机械处理，例如研磨、抛光、切割
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
