晶片的加工方法
公开
摘要
本发明提供晶片的加工方法，能够去除环状加强部而不对器件区域造成加工负载。晶片的加工方法包含：保护部件粘贴步骤，将具有覆盖晶片的正面或背面的面积的保护部件粘贴于晶片；以及环状加强部去除步骤，在实施保护部件粘贴步骤后，去除晶片的环状加强部。环状加强部去除步骤包含：环状加强部分离步骤，沿着器件区域的外周来分割晶片，将器件区域与环状加强部分离；以及去除步骤，在实施环状加强部分离步骤后，一边向晶片提供加工水，一边使用磨具来加工去除环状加强部。
基本信息
专利标题 ：
晶片的加工方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613726A
申请号 ：
CN202011415839.3
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-12-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
关家一马
申请人 ：
株式会社迪思科
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
于靖帅
优先权 ：
CN202011415839.3
主分类号 ：
H01L21/78
IPC分类号 ：
H01L21/78 H01L21/67 B24B7/22 B24B27/06 B24B41/06 B24B47/12 B28D5/02 B28D7/04 B28D7/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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