晶片的加工方法
公开
摘要
本发明提供晶片的加工方法，即使实施等离子蚀刻而分割成器件芯片，也不会使氟元素残留在划片带上，能够消除在后续工序中成为污染源的问题。晶片的加工方法包含如下的工序：树脂膜覆盖工序，在晶片的上表面上覆盖水溶性树脂并且在露出于晶片与框架之间的划片带上覆盖水溶性树脂(P)，并使水溶性树脂固化，从而形成树脂膜；局部树脂膜去除工序，从晶片的待分割的区域将树脂膜去除而使晶片的上表面局部地露出；蚀刻工序，对晶片的待分割的区域实施等离子蚀刻而将晶片分割成各个芯片；以及全部树脂膜去除工序，对框架单元进行清洗而将树脂膜全部去除。
基本信息
专利标题 ：
晶片的加工方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334814A
申请号 ：
CN202111098074.X
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-09-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
横尾晋高桥宏行和田健太郎渡边义雄冈崎健志西田吉辉
申请人 ：
株式会社迪思科
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
于靖帅
优先权 ：
CN202111098074.X
主分类号 ：
H01L21/78
IPC分类号 ：
H01L21/78 H01L21/02 H01L21/3065 H01L21/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
法律状态
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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