晶片的加工方法
公开
摘要
本发明提供晶片的加工方法，能够简易地去除残留在晶片的外周部的增强部。晶片的加工方法对晶片进行加工，该晶片在正面侧具有在由以相互交叉的方式呈格子状排列的多条分割预定线划分的多个区域内分别形成有器件的器件区域，该晶片在背面侧具有形成于与器件区域对应的区域的凹部，该晶片在外周部具有围绕器件区域和凹部的环状的增强部，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：切削工序，将器件区域分割成多个器件芯片，并且在增强部形成切削槽；分割工序，以切削槽作为起点而将增强部分割；以及去除工序，从位于晶片的外侧的规定的喷射位置朝向增强部喷射流体，由此使分割后的增强部朝向喷射位置的相反侧飞散而去除。
基本信息
专利标题 ：
晶片的加工方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628324A
申请号 ：
CN202111475164.6
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-12-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
冈村卓
申请人 ：
株式会社迪思科
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨俊波
优先权 ：
CN202111475164.6
主分类号 ：
H01L21/78
IPC分类号 ：
H01L21/78 H01L21/02 H01L21/304 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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