晶片的分割方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提供一种可以将晶片沿形成了变质层的预定分割线准确地进行分割，并且可以获得抗折强度高的芯片的晶片分割方法，该分割方法包括：变质层形成工序，沿该预定分割线照射对晶片来说具有透过性的激光束，并在晶片的内部沿该预定分割线形成变质层；晶片支承工序，在实施该变质层形成工序前或实施了该变质层形成工序后，在安装于环状的框架上的保护带的表面上粘贴晶片的一个面；以及晶片断裂工序，对实施了该变质层形成工序、并粘贴于该保护带上的晶片赋予外力，沿着形成了该变质层的该预定分割线将晶片断裂为各芯片，该变质层形成工序在晶片的厚度为t时，从晶片的表面和背面分别保留厚度为0.2t～0.3t的无变质区域来形成变质层。
基本信息
专利标题 ：
晶片的分割方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1828863A
申请号 ：
CN200610006434.8
公开（公告）日 ：
2006-09-06
申请日 ：
2006-01-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
小林贤史中村胜能丸圭司渡边阳介永井祐介
申请人 ：
株式会社迪斯科
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
胡建新
优先权 ：
CN200610006434.8
主分类号 ：
H01L21/78
IPC分类号 ：
H01L21/78 H01L21/301
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
法律状态
2009-09-09 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-01-02 ：
实质审查的生效
2006-09-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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