沿片条分割半导体晶片的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种沿多个片条分割半导体晶片的方法，所述半导体晶片的一个表面上由排列成格状图案的片条限定出多个矩形区域，每个矩形区域内形成有半导体器件。所述方法包括：将保护元件敷设在半导体晶片表面上的保护元件敷设步骤；将阻蚀膜敷设在所述半导体晶片的背面上的除对应于片条的部位之外的部位上的阻蚀膜敷设步骤；对所述半导体晶片背面进行等离子蚀刻以便沿着片条分割半导体晶片的等离子蚀刻步骤。
基本信息
专利标题 ：
沿片条分割半导体晶片的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1779917A
申请号 ：
CN200510108611.9
公开（公告）日 ：
2006-05-31
申请日 ：
2005-10-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
荒井一尚藤泽晋一松桥凉小野贵司船中俊宏蜂谷润川合章仁
申请人 ：
株式会社迪斯科
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
蔡胜利
优先权 ：
CN200510108611.9
主分类号 ：
H01L21/301
IPC分类号 ：
H01L21/301 H01L21/78 B28D5/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/301
把半导体再细分成分离部分，例如分隔
法律状态
2008-07-02 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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