晶片分割方法
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摘要
一种沿着晶片正面上形成为格子状图案的多条分割线将晶片分割成独立芯片的方法，在被多条分割线划分成的多个区域上形成有功能元件，包括：变质层形成步骤，沿着分割线施加能穿过晶片的激光束，沿着分割线在晶片内部形成变质层；晶片支承步骤，在变质层形成步骤前或后，将晶片一侧放置在一被安装在一环形支架上并通过外部触发而收缩的支承带的表面上；晶片分割步骤，向已经过变质层形成步骤并放置在支承带上的晶片施加外力，将晶片沿着已形成变质层的分割线分割成独立芯片；芯片间隙形成步骤，通过向在环形支架的内周边和支承带上的贴附到已经经过晶片分割步骤的晶片上的区域之间的一收缩区域施加外部触发而使其收缩，扩大相邻芯片之间的间隙。
基本信息
专利标题 ：
晶片分割方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1779919A
申请号 ：
CN200510113805.8
公开（公告）日 ：
2006-05-31
申请日 ：
2005-10-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
永井祐介饭冢健太吕
申请人 ：
株式会社迪斯科
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
蔡胜利
优先权 ：
CN200510113805.8
主分类号 ：
H01L21/301
IPC分类号 ：
H01L21/301 H01L21/78 B28D5/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/301
把半导体再细分成分离部分，例如分隔
法律状态
2009-10-07 ：
授权
2007-10-24 ：
实质审查的生效
2006-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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