晶片分割方法和分割装置
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摘要
一种沿着晶片正面上形成为格子状图案的多条分割线分割晶片的方法，所述晶片沿着分割线的强度降低，所述方法包括以下步骤：带贴附步骤，用于将一保护带贴附于晶片的一侧；晶片保持步骤，用于通过所述保护带在每个分割线两侧保持贴附在保护带上的晶片；以及折断步骤，用于通过沿着每个分割线吸附所述通过保护带保持的晶片而沿着每个分割线分割所述晶片。
基本信息
专利标题 ：
晶片分割方法和分割装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1779918A
申请号 ：
CN200510108616.1
公开（公告）日 ：
2006-05-31
申请日 ：
2005-10-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
中村胜
申请人 ：
株式会社迪斯科
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
蔡胜利
优先权 ：
CN200510108616.1
主分类号 ：
H01L21/301
IPC分类号 ：
H01L21/301 H01L21/78 B28D5/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/301
把半导体再细分成分离部分，例如分隔
法律状态
2009-03-11 ：
授权
2007-10-31 ：
实质审查的生效
2006-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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