半导体晶片
专利申请权、专利权的转移
摘要
本实用新型公开半导体晶片。根据一实施例的半导体晶片包括：划道区，设置有多个沟槽；多个器件单元，相邻的器件单元被划道区隔开；以及支撑结构，包括本体和多个腿部，多个腿部中的每个腿部与多个沟槽中的相应沟槽相匹配，使得每个腿部的一部分能被限定在相应沟槽中。根据本实用新型的半导体晶片可消除或改善晶片的翘曲、提高良率、降低制造成本。
基本信息
专利标题 ：
半导体晶片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020619631.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-22
授权号 ：
CN212084974U
授权日 ：
2020-12-04
发明人 ：
孙倩陈伟钿张永杰周永昌李浩南
申请人 ：
创能动力科技有限公司
申请人地址 ：
中国香港新界大埔白石角香港科学园3期12W座6楼611室
代理机构 ：
深圳市六加知识产权代理有限公司
代理人 ：
王媛
优先权 ：
CN202020619631.2
主分类号 ：
H01L23/00
IPC分类号 ：
H01L23/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
法律状态
2021-08-06 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 23/00
登记生效日 : 20210726
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 创能动力科技有限公司
变更后权利人 : 飞锃半导体（上海）有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 中国香港新界大埔白石角香港科学园3期12W座6楼611室
变更后权利人 : 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼
登记生效日 : 20210726
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 创能动力科技有限公司
变更后权利人 : 飞锃半导体（上海）有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 中国香港新界大埔白石角香港科学园3期12W座6楼611室
变更后权利人 : 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼
2020-12-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN212084974U.PDF
PDF下载
