一种半导体晶片

授权

摘要

本实用新型公开了一种提供的半导体晶片，包括位于所述半导体晶片的侧壁上的主参照面和圆弧面，所述主参照面与所述圆弧面的边连接处设置有倒角。本实用新型提供的半导体晶片，通过改变边型来降低衬底在外延中因碰撞或者应力集中点而造成衬底在外延过程中形成的“平边缺陷”或者外延片破裂的问题。在主参照面的两端与圆弧边连接处由之前的不倒角更改为倒角，能够减少衬底在外延生长中的破片率，提高外延的成品率，降低成本。

基本信息

专利标题：

一种半导体晶片

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920942290.X

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-06-21

授权号：

CN210429736U

授权日：

2020-04-28

发明人：

廖彬周铁军刘留马金峰宾启雄

申请人：

广东先导先进材料股份有限公司

申请人地址：

广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号B区

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

张博

优先权：

CN201920942290.X

主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

H01L21/02