处理半导体晶片的方法

专利权的终止

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摘要

本发明涉及一种处理半导体晶片的方法，特别（非排它性地）涉及平面化过程。该方法包括淀积由含硅气体或蒸汽形成的液态短链聚合物。继而除去水和ＯＨ，使该层稳定。

基本信息

专利标题：

处理半导体晶片的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1089757A

申请号：

CN93108147.5

公开（公告）日：

1994-07-20

申请日：

1993-07-03

授权号：

CN1042577C

授权日：

1999-03-17

发明人：

克里斯托福·戴维·多布森

申请人：

克里斯托福·戴维·多布森

申请人地址：

英国布里斯托尔

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王以平

优先权：

CN93108147.5

主分类号：

H01L21/205

IPC分类号：

H01L21/205 H01L21/312

相关图片

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/20

半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长

H01L21/205

应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积

法律状态

2013-08-21 ：

专利权的终止

专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101510924251
IPC(主分类) : H01L 21/205
专利号 : ZL931081475
申请日 : 19930703
授权公告日 : 19990317
期满终止日期 : 20130703

2009-09-02 ：

专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)

变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 克里斯托福·戴维·多布森
变更后权利人 : 阿维扎技术有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 英国布里斯托尔
变更后权利人 : 英国格温特
登记生效日 : 20090724

2009-09-02 ：

专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)

变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 阿维扎技术有限公司
变更后权利人 : 东京毅力科创株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 英国格温特
变更后权利人 : 日本东京
登记生效日 : 20090724

1999-03-17 ：

授权

1995-06-28 ：

实质审查请求的生效

1994-07-20 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

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