修正半导体处理中晶片晶体切片误差的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明涉及到计算离子注入系统中的晶体切割误差数据，从而便于更精确地离子注入。本发明的一个或多个方面也考虑到由在被掺杂的晶片表面上形成的特征导致的可能的屏蔽效应。根据本发明的一个或多个方面，晶体切割误差数据和可选的特征数据也周期性地被前馈到一个或多个离子注入平台或系统中以确定关于工件如何重新定向离子束以实现所需的注入结果。
基本信息
专利标题 ：
修正半导体处理中晶片晶体切片误差的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101120426A
申请号 ：
CN200580047906.8
公开（公告）日 ：
2008-02-06
申请日 ：
2005-12-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
A·雷
申请人 ：
艾克塞利斯技术公司
申请人地址 ：
美国马萨诸塞州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
王庆海
优先权 ：
CN200580047906.8
主分类号 ：
H01J37/317
IPC分类号 ：
H01J37/317 H01L21/265
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/30
物体局部处理用的电子束管或离子束管
H01J37/317
用于改变物体的特性或在其上加上薄层的，如离子注入
法律状态
2008-08-27 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-02-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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