硅晶片及硅晶片的热处理方法
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摘要
本发明涉及硅晶片，其不具有外延沉积层且不具有通过与硅晶片粘合而形成的层，其氮浓度为1×1013原子/立方厘米至8×1014原子/立方厘米，氧浓度为5.2×1017原子/立方厘米至7.5×1017原子/立方厘米，该硅晶片厚度中心内的BMD密度为3×108/立方厘米至2×1010/立方厘米，所有线性滑移累积的总长度不超过3厘米，且所有平面扩展的滑移区域累积的总面积不超过7平方厘米，其中该硅晶片的正面在DNN通道内具有少于45个尺寸大于0.13微米LSE的氮诱发缺陷，在厚度至少为5微米的层内每立方厘米产生不超过1×104个尺寸至少为0.09微米的COP，且不含BMD的层的厚度至少为5微米。
基本信息
专利标题 ：
硅晶片及硅晶片的热处理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1840749A
申请号 ：
CN200610067653.7
公开（公告）日 ：
2006-10-04
申请日 ：
2006-03-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
蒂莫·米勒维尔弗里德·冯·阿蒙埃里希·道布彼得·克罗滕塔勒尔克劳斯·梅斯曼弗里德里希·帕塞克赖因霍尔德·沃利希阿诺尔德·屈霍恩约翰内斯·施图德纳
申请人 ：
硅电子股份公司
申请人地址 ：
德国慕尼黑
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
过晓东
优先权 ：
CN200610067653.7
主分类号 ：
C30B33/02
IPC分类号 ：
C30B33/02 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
C30B33/02
热处理
法律状态
2009-08-05 ：
授权
2006-12-06 ：
实质审查的生效
2006-10-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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