防止晶片间分层的晶片堆叠方法
专利权的终止
摘要
本发明是有关于一种防止晶片间分层的晶片堆叠方法,在第一次粘晶之后,将一液态粘晶材料印刷于一第一晶片的主动面上;并进行一脱泡步骤,将该第一晶片放置于一真空状态,以去除该液态粘晶材料内的微细气泡;再进行一第一次烘烤步骤,以使该液态粘晶材料呈半固化状态形成一在该第一晶片上的密实粘性中介层。当一第二晶片堆叠至该第一晶片上,可利用该密实粘性中介层粘接该第二晶片的背面。可再进行一第二次烘烤步骤,以完全固化该密实粘性中介层。因此,该密实粘性中介层内部不存在有气泡,可以避免堆叠晶片的分层剥离,以利于模封作业。
基本信息
专利标题 :
防止晶片间分层的晶片堆叠方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101043011A
申请号 :
CN200610065148.9
公开(公告)日 :
2007-09-26
申请日 :
2006-03-21
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
郭展彰高碧宏朱品华林高雄
申请人 :
华东科技股份有限公司
申请人地址 :
中国台湾
代理机构 :
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 :
寿宁
优先权 :
CN200610065148.9
主分类号 :
H01L21/56
IPC分类号 :
H01L21/56 H01L21/60
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装,例如密封层、涂层
法律状态
2016-05-11 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101659980133
IPC(主分类) : H01L 21/56
专利号 : ZL2006100651489
申请日 : 20060321
授权公告日 : 20090318
终止日期 : 20150321
号牌文件序号 : 101659980133
IPC(主分类) : H01L 21/56
专利号 : ZL2006100651489
申请日 : 20060321
授权公告日 : 20090318
终止日期 : 20150321
2009-03-18 :
授权
2007-11-21 :
实质审查的生效
2007-09-26 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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