具有梁柱结构的三维晶片堆叠结构及三维晶片堆叠的方法
授权
摘要
本发明提供了一种晶片堆叠结构及三维晶片堆叠的方法，该晶片堆叠结构包含具有多个金属支撑结构的第一晶片，以及堆叠在该第一晶片上方的一第二晶片，其中，该第二晶片可以为表面朝上或表面朝下。所述的金属支撑结构配置在每一芯片位置上并且从该第一晶片上方的硅表面延伸到该第二晶片底座的硅表面。该金属支撑结构在两个硅表面之间形成一支撑力量，以保护低介电层使其能够免于垂直应力或剪应力的破坏。
基本信息
专利标题 ：
具有梁柱结构的三维晶片堆叠结构及三维晶片堆叠的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1964038A
申请号 ：
CN200510120396.4
公开（公告）日 ：
2007-05-16
申请日 ：
2005-11-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张缉熙谭瑞敏廖锡卿骆韦仲李荣贤
申请人 ：
财团法人工业技术研究院
申请人地址 ：
中国台湾新竹县
代理机构 ：
隆天国际知识产权代理有限公司
代理人 ：
王玉双
优先权 ：
CN200510120396.4
主分类号 ：
H01L25/00
IPC分类号 ：
H01L25/00 H01L21/50
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
法律状态
2009-06-03 ：
授权
2007-07-11 ：
实质审查的生效
2007-05-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1964038A.PDF
PDF下载
