一种碳化硅晶片的退火用装置和退火用堆叠结构
专利申请权、专利权的转移
摘要

本实用新型涉及一种碳化硅晶片的退火用装置和退火用堆叠结构,碳化硅晶片的退火用装置包括C形装置底座和多个圆弧状凸起墩,C形装置底座设有C形上表面、C形下表面、内圆弧侧面和外圆弧侧面,多个圆弧状凸起墩等间距设置于C形上表面的外缘端,多个圆弧状凸起墩包括第一圆弧侧面和第二圆弧侧面,第一圆弧侧面和第二圆弧侧面与内圆弧侧面和外圆弧侧面同心设置;退火用堆叠结构包括上、下堆叠的上述退火用装置,每个退火用装置的C形装置底座的开口位置相对应。本实用新型的退火用装置和退火用堆叠结构,便于晶片取放,同时能减少晶片与装置的接触面积,避免晶片的接触污染,并通过堆叠实现多张碳化硅晶片的同时退火,提高晶片的退火效率。

基本信息
专利标题 :
一种碳化硅晶片的退火用装置和退火用堆叠结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922323715.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-12-20
授权号 :
CN210984704U
授权日 :
2020-07-10
发明人 :
徐良曹力力蓝文安刘建哲余雅俊夏建白李京波郭炜叶继春
申请人 :
浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
申请人地址 :
浙江省金华市南二环西路2688号
代理机构 :
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 :
董李欣
优先权 :
CN201922323715.1
主分类号 :
H01L21/67
IPC分类号 :
H01L21/67  H01L21/673  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-06 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/67
登记生效日 : 20220422
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
变更后权利人 : 浙江富芯微电子科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 321000 浙江省金华市南二环西路2688号
变更后权利人 : 321000 浙江省金华市婺城区秋滨街道南二环西路2688号3#厂房(自主申报)
2020-07-10 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332