碳化硅晶片的抛光方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种碳化硅晶片的抛光方法，包括提供一碳化硅晶片，所述碳化硅晶片包括一碳面与一硅面。对所述碳面与所述硅面其中至少一者进行掺杂，以改变被掺杂面的氧化能力。在所述掺杂后对碳化硅晶片进行化学机械抛光，其中所述硅面的移除速率大于或等于所述碳面的移除速率。
基本信息
专利标题 ：
碳化硅晶片的抛光方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388347A
申请号 ：
CN202111210832.2
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-10-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
蔡子萱施英汝杨咏皓吴伟立
申请人 ：
环球晶圆股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市科学工业园区工业东二路8号
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
宋兴
优先权 ：
CN202111210832.2
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/22
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20211018
申请日 : 20211018
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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