碳化硅衬底晶片的清洗方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及晶片加工技术，公开了一种碳化硅衬底晶片的清洗方法。所述清洗方法包括以下步骤：步骤S1、将碳化硅衬底晶片浸入有机溶剂中进行第一超声清洗后，进行第一表面残余清洗；步骤S2、将步骤S1处理后的所述碳化硅衬底晶片浸入复合清洗剂中进行第二超声清洗，然后进行第二表面残余清洗；步骤S3、将步骤S2处理后的所述碳化硅衬底晶片浸入酸液中进行第三超声清洗，再进行第三表面残余清洗和干燥处理。本发明提供的清洗方法对碳化硅衬底晶片的清洁效果好、清洗时间短，有利于提高晶片的良率、延长药液的使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
碳化硅衬底晶片的清洗方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334606A
申请号 ：
CN202111348350.3
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-11-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
翟虎刘宇宋亚滨姜宇孙金梅徐进陆继波
申请人 ：
成都中浦石墨烯应用技术有限公司;北京远大信达科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市双流区西南航空港经济技术开发区牧华路二段1518号
代理机构 ：
北京润平知识产权代理有限公司
代理人 ：
周春雨
优先权 ：
CN202111348350.3
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20211115
申请日 : 20211115
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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