一种晶片清洗方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种晶片清洗方法，旨在保证晶片清洗质量的同时保证清洗后晶片的氧化层的均匀性，其技术方案：一种晶片清洗方法，包括如下步骤：S1：先采用第一蒸汽药液清洗晶片，再用去离子水冲洗晶片；其中，所述第一蒸汽药液为酸性药液；S2：先采用第二蒸汽药液清洗晶片，再用去离子水冲洗晶片；其中，所述第二蒸汽药液为碱性药液；S3：先采用第三蒸汽药液清洗晶片，再用去离子水冲洗晶片；其中，所述第三蒸汽药液为碱性药液；S4：先采用第四蒸汽药液清洗晶片，再用去离子水冲洗晶片；其中，所述第四蒸汽药液为酸性药液；S5：风干晶片，属于晶片清洗技术领域。
基本信息
专利标题 ：
一种晶片清洗方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496730A
申请号 ：
CN202111659222.0
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑金龙吴倩周铁军马金峰资云玲
申请人 ：
广东先导微电子科技有限公司
申请人地址 ：
广东省清远市高新区创兴三路16号A车间
代理机构 ：
清远市清城区诺誉知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
龚元元
优先权 ：
CN202111659222.0
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
