一种干法清洗锗晶片的方法
授权
摘要
本申请涉及半导体材料的加工技术领域，具体公开了一种干法清洗锗晶片的方法，所述方法包括如下步骤：(1)向真空混合腔中分别通入氮气等离子体和氦气等离子体，得到混合等离子体；其中，所述氮气等离子体通入所述真空混合腔的通入体积和所述氦气等离子体通入所述真空混合腔的通入体积的比值为1:(0.1～0.2)；(2)将锗晶片置于真空清洗腔中并升温至280～320℃；之后，向所述真空清洗腔中通入所述混合等离子体，所述混合等离子体对所述锗晶片进行清洗并使所述锗晶片表面钝化；(3)降温至20～30℃。本申请能够有效去除锗晶片表面的污染，并使锗晶片表面得到钝化。
基本信息
专利标题 ：
一种干法清洗锗晶片的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335256A
申请号 ：
CN202210228592.7
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2022-03-10
授权号 ：
CN114335256B
授权日 ：
2022-05-20
发明人 ：
史铎鹏任殿胜
申请人 ：
北京通美晶体技术股份有限公司
申请人地址 ：
北京市通州区工业开发区东二街4号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210228592.7
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L21/02 B08B7/00
法律状态
2022-05-20 ：
授权
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/18
申请日 : 20220310
申请日 : 20220310
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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