增强的晶片清洗方法

发明专利申请公布后的驳回

摘要

提供了一种在如图2D所示的单晶片清洗系统(100－2)中去除后处理残余物的方法。所述方法开始于向设置于衬底(108)之上的近程头(106a－3，106b－3)提供第一被加热流体。之后，在所述衬底的表面和所述近程头的相对表面之间形成所述第一流体的弯月面。使所述衬底在所述近程头下面线性移动。

基本信息

专利标题：

增强的晶片清洗方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101119810A

申请号：

CN200680005277.7

公开（公告）日：

2008-02-06

申请日：

2006-02-08

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

允锡民J·M·柏依M·威尔克逊J·德赖瑞厄斯

申请人：

兰姆研究有限公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

张雪梅

优先权：

CN200680005277.7

主分类号：

B08B7/00

IPC分类号：

B08B7/00 B08B3/00 B08B1/02 B08B7/04 B08B1/00 A47L15/00 A47L25/00