增强的晶片清洗方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
提供了一种在如图2D所示的单晶片清洗系统(100-2)中去除后处理残余物的方法。所述方法开始于向设置于衬底(108)之上的近程头(106a-3,106b-3)提供第一被加热流体。之后，在所述衬底的表面和所述近程头的相对表面之间形成所述第一流体的弯月面。使所述衬底在所述近程头下面线性移动。
基本信息
专利标题 ：
增强的晶片清洗方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN104091771A
申请号 ：
CN201410279936.2
公开（公告）日 ：
2014-10-08
申请日 ：
2006-02-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
允锡民J·M·柏依M·威尔克逊J·德赖瑞厄斯
申请人 ：
兰姆研究有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
上海胜康律师事务所
代理人 ：
李献忠
优先权 ：
CN201410279936.2
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 C23G1/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2018-03-27 ：
发明专利申请公布后的驳回
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请公布日 : 20141008
申请公布日 : 20141008
2014-10-29 ：
实质审查的生效
号牌文件类型代码 : 1604
号牌文件序号 : 101587990901
IPC(主分类) : H01L 21/67
专利申请号 : 2014102799362
申请日 : 20060208
号牌文件序号 : 101587990901
IPC(主分类) : H01L 21/67
专利申请号 : 2014102799362
申请日 : 20060208
2014-10-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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