晶片浸泡式清洗装置和补液方法
实质审查的生效
摘要
本申请涉及半导体器件制造技术领域，具体涉及一种晶片浸泡式清洗装置和补液方法。其中装置包括：浸泡内槽、补液外槽和补液装置。方法包括：控制向补液外槽中输入清洗液，使得位于补液外槽中的清洗液的液面高度逐渐上升；当获取第一液面传感器发送的第一触发信号后，首次获得第二液面传感器发送的第二触发信号时；使得补液装置启动；当第二次获取第二液面传感器发送的第二触发信号时，确定浸泡内槽补液完全，且浸泡内槽充满后的清洗液溢流，使得补液外槽中的清洗液的液面上升至第二高度；当获取第三液面传感器发送的第三触发信号时，使得补液装置停止，使得排液阀打开；获得第二液面传感器发送的跃变信号，使得排液阀关闭，使得补液装置启动。
基本信息
专利标题 ：
晶片浸泡式清洗装置和补液方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496857A
申请号 ：
CN202210104717.5
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
奚达郭志田瞿治军王泽飞夏金伟
申请人 ：
华虹半导体（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区新洲路30号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
戴广志
优先权 ：
CN202210104717.5
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20220128
申请日 : 20220128
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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