晶片清洗装置及其清洗腔
授权
摘要
本实用新型提供了一种晶片清洗装置及其清洗腔，用于对晶片进行清洗。清洗腔包括上腔盖和位于上腔盖下侧的下腔盖，上腔盖与下腔盖一起围成用于对晶片进行清洗的中空腔体。上腔盖设置有中空通道、进气口和排气口，中空通道连通于进气口和排气口，进气口位于中空通道内侧并连通于中空腔体，排气口位于中空通道外侧。当对晶片进行清洗时，挥发性药液可经由进气口进入中空通道并滞留在中空通道中或直接通过排气口排出中空通道。基于中空通道、进气口和排气口的设置，本申请的晶片清洗装置的清洗晶片的区域与收容挥发性药液的区域分离，从而有效地减少了滞留在清洗腔的中空腔体内的挥发性药液，由此极大地降低了挥发性药液对清洗后的晶片的腐蚀。
基本信息
专利标题 ：
晶片清洗装置及其清洗腔
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022070340.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-18
授权号 ：
CN213026057U
授权日 ：
2021-04-20
发明人 ：
廖彬周铁军陈勇喻胜举
申请人 ：
广东先导先进材料股份有限公司
申请人地址 ：
广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号B区
代理机构 ：
北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张婷婷
优先权 ：
CN202022070340.5
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-04-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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