碳化硅晶片及其加工方法

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摘要

本发明提供了一种碳化硅晶片及其加工方法，碳化硅晶片的加工方法包括：将清洗分类后的碳化硅晶片进行双面粗磨；将经过双面粗磨后的碳化硅晶片进行双面精磨；将经过双面精磨后的碳化硅晶片进行催化剂辅助化学机械抛光；其中，抛光液为采用第一研磨颗粒、第一分散剂、氧化剂、催化剂、PH调节剂及去离子水形成的酸性胶体；所述研磨颗粒、分散剂、氧化剂、催化剂、PH调节剂及去离子水的质量占比为5～15：2～5：10～20：3～5：5～10：45～75。该加工方法大大缩短了化学机械抛光工艺过程所需要的时间，并获得表面符合平整度要求的碳化硅单晶外延片。

基本信息

专利标题：

碳化硅晶片及其加工方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112809458A

申请号：

CN202110055105.7

公开（公告）日：

2021-05-18

申请日：

2021-01-15

授权号：

CN112809458B

授权日：

2022-05-06

发明人：

徐良朱振佳蓝文安占俊杰刘建哲余雅俊郭炜叶继春夏建白

申请人：

金华博蓝特电子材料有限公司

申请人地址：

浙江省金华市婺城区秋滨街道南二环西路2688号1#厂房1楼南侧

代理机构：

北京辰权知识产权代理有限公司

代理人：

金铭

优先权：

CN202110055105.7

主分类号：

B24B1/00

IPC分类号：

B24B1/00 B24B7/17 B24B7/22 B24B37/04 B24B37/08 B24B49/16 B24B49/00 C09G1/02