碳化硅晶片的表面处理方法
公开
摘要
本发明提供了一种碳化硅晶片的表面处理方法，碳化硅晶片包括A表面和B表面；其表面处理方法包括：A)将碳化硅A表面涂覆树脂膜，得到平整的A表面的碳化硅；B)将A表面固定，将B表面进行打磨；C)去除碳化硅A表面的树脂膜，固定打磨后的B面，将A面进行打磨，得到双面打磨的碳化硅晶片；D)将双面打磨的碳化硅晶片抛光，即得。采用上述方法制备的碳化硅单晶抛光片，表面翘曲度小于20μm,弯曲度小于10μm，平整度小于4μm，局部平整度小于1.5μm,表面粗糙度小于0.2nm。
基本信息
专利标题 ：
碳化硅晶片的表面处理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114290132A
申请号 ：
CN202111660362.X
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭钰刘春俊眭旭张世颖晁欢彭同华杨建
申请人 ：
北京天科合达半导体股份有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区中关村科技园区大兴生物医药产业基地天荣大街9号2幢301室
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
耿苑
优先权 ：
CN202111660362.X
主分类号 ：
B24B1/00
IPC分类号 ：
B24B1/00 B24B7/16 B24B7/22 B24B41/06
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B24
磨削；抛光
B24B
用于磨削或抛光的机床、装置或工艺（用电蚀入B23H；磨料或有关喷射入B24C；电解浸蚀或电解抛光入C25F3/00；磨具磨损表面的修理或调节；磨削，抛光剂或研磨剂的进给
B24B1/00
磨削或抛光的工艺；与此工艺有关的所用辅助设备
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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