本发明提供了一种氧化镓晶片表面处理方法，通过贵金属辅助腐蚀的方法，在室温下，使用贵金属颗粒作为催化剂，氢氟酸、氧化剂和表面活性剂的混合液作为腐蚀剂，使氧化镓晶片表面可以快速地被腐蚀剂溶解，贵金属颗粒在氧化镓晶片表面发生了局部原电池反应，贵金属的功函数更高，在与氧化镓表面接触的时候，空间电荷区域内存在一定的电场，造成能带弯曲，使半导体表面和内部存在电势差，电子被贵金属催化剂从晶体中抽出。尤其在紫外灯的照射下，将加速在氧化镓表面形成电子和空穴对，电子的逸出降低了光生电子空穴对复合的可能，从而促使氧化镓表面空穴聚集区发生了氧化反应，产生氧气，溶液中的氧化剂被还原，Ga离子溶于氢氟酸，完成腐蚀过程。本发明的处理方法可以去除机械加工工序、干刻工序等所造成的晶片损伤层，消除晶片内部应力，制作满足后续工序粗糙度要求且均匀一致的晶片。