本申请提供了一种在晶片碳面辨别碳化硅晶片中缺陷的方法，所述方法包括将碳化硅晶片置于刻蚀腔中，使用微波等离子体刻蚀碳化硅晶片的碳面；刻蚀至预设时间后，将所述碳化硅晶片从刻蚀腔中取出，用去离子水和酒精超声清洗；根据所述碳化硅晶片碳面的刻蚀坑的形貌和截面，确定缺陷类型。该方法通过刻蚀C面形成刻蚀坑，根据刻蚀坑的形貌和截面信息可以准确辨认微管及不同类型的位错；同时，对于衬底材料可以和Si面位错情况进行对比，从而直接观察位错在生长过程中的行为；对于外延材料可以和外延表面对比位错情况，进而研究位错的增值和转化机理。