一种辨别导电型碳化硅晶片硅面和碳面的方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种辨别导电型碳化硅晶片硅面和碳面的方法，该方法通过导电型碳化硅晶片硅面和碳面X射线衍射强度的差异以及导电型碳化硅晶体生长中特有的黑芯来区别硅面和碳面。该方法解决了现有方法费时费力及对晶片带来的损伤问题，适用范围广，简单快捷，对晶片不会产生任何损伤，从而消除现有方法中晶片定位边或V型槽对晶体生长的不利影响，提高晶片质量和有效使用面积。
基本信息
专利标题 ：
一种辨别导电型碳化硅晶片硅面和碳面的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114509459A
申请号 ：
CN202210186965.9
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2022-02-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王升贺贤汉李有群陈辉
申请人 ：
安徽微芯长江半导体材料有限公司
申请人地址 ：
安徽省铜陵市经济开发区西湖三路
代理机构 ：
铜陵市天成专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
李坤
优先权 ：
CN202210186965.9
主分类号 ：
G01N23/207
IPC分类号 ：
G01N23/207
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N23/00
利用波或粒子辐射来测试或分析材料，例如未包括在G01N3/00-G01N17/00、G01N 21/00 或G01N 22/00中的X射线或中子
G01N23/20
利用材料辐射的衍射，例如，用于测试晶体结构；利用材料辐射的散射，例如测试非晶材料；利用材料辐射的反射
G01N23/207
衍射，例如，利用处于中心位置的探针以及安放在周围的一个或多个可移动的检测器
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 23/207
申请日 : 20220228
申请日 : 20220228
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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