一种腐蚀后碳化硅晶片微管缺陷检测装置
授权
摘要
本实用新型涉及碳化硅晶片技术领域,具体为一种腐蚀后碳化硅晶片微管缺陷检测装置,包括底座和固定安装在底座顶部一侧的检测箱,还包括检修机构、调节支撑机构、光源调节机构、旋转检测机构和角度调节机构,所述检修机构固定安装在检测箱内壁两侧,本实用新型通过设置有调节支撑机构和旋转检测机构,拉动抽板使抽板带动滑轮在滑轨内部移动抽出,从而带动电动升降套杆移动抽出,可以更加便捷的对晶片进行放置,工作人员无需将手伸入检测箱内部,使晶片的放置更加的稳定,避免晶片位置偏移,影响检查的效果,再推动防滑垫使防滑垫带动底部的活动钩与活动块两侧相接触,持续推动使活动钩两侧向内折叠,直至通过活动块,活动钩再进行回弹。
基本信息
专利标题 :
一种腐蚀后碳化硅晶片微管缺陷检测装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202122967549.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-11-30
授权号 :
CN216622212U
授权日 :
2022-05-27
发明人 :
李有群卓世异贺贤汉周国栋孙大方
申请人 :
安徽微芯长江半导体材料有限公司
申请人地址 :
安徽省铜陵市经济开发区西湖三路
代理机构 :
铜陵市天成专利事务所(普通合伙)
代理人 :
李坤
优先权 :
CN202122967549.6
主分类号 :
G01N21/95
IPC分类号 :
G01N21/95 G01N21/01
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段,即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/84
专用于特殊应用的系统
G01N21/88
测试瑕疵、缺陷或污点的存在
G01N21/95
特征在于待测物品的材料或形状
法律状态
2022-05-27 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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