一种半导体碳化硅衬底中大尺寸微管检测吸附装置

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

摘要

本申请公开了一种半导体碳化硅衬底中大尺寸微管检测吸附装置。所述装置样品吸附单元、抽真空装置、连通所述样品吸附单元与所述抽真空装置的真空管道、和为所述抽真空装置提供动力的电机；所述样品吸附单元包括真空吸盘，所述真空吸盘的顶部设半导体碳化硅衬底吸附区域，所述半导体碳化硅衬底吸附区域设多个开口朝上的环形槽，所述真空吸盘还设有至少一个连通所述半导体碳化硅衬底吸附区域和所述真空管道的通孔。本实用新型能用于检测半导体碳化硅衬底中大尺寸微管缺陷情况，检测效率高，适用于大规模产业化缺陷检测。

基本信息

专利标题：

一种半导体碳化硅衬底中大尺寸微管检测吸附装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920828818.0

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-06-03

授权号：

CN210560880U

授权日：

2020-05-19

发明人：

宋建张维刚张红岩王雅儒

申请人：

山东天岳先进材料科技有限公司

申请人地址：

山东省济南市高新区新宇路西侧世纪财富中心AB座1106-6-01

代理机构：

济南千慧专利事务所(普通合伙企业)

代理人：

韩玉昆

优先权：

CN201920828818.0

主分类号：

C30B29/36

IPC分类号：

C30B29/36 G01N19/08