衬底和包含该衬底的半导体装置
授权
摘要
本实用新型涉及一种衬底和包含该衬底的半导体装置。该衬底包括芯层，具有相对的第一表面和第二表面；一个或多个接触指，设置于芯层的第一表面上，一个或多个接触指中的至少部分接触指在芯层的第一表面上沿着第一方向延伸；第一阻焊掩模，覆盖芯层的第一表面且具有开口，一个或多个接触指通过开口暴露；强化图案，设置于芯层的第二表面上，并且与芯层的第二表面上的导电布线在同一层中；以及第二阻焊掩模，覆盖芯层的第二表面和强化图案，第二阻焊掩模的表面上具有用于设置一个或多个裸芯的裸芯区域。
基本信息
专利标题 ：
衬底和包含该衬底的半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020450471.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-31
授权号 ：
CN212303638U
授权日 ：
2021-01-05
发明人 ：
崔显炉严俊荣狄晓峰钱中华钮火荣
申请人 ：
西部数据技术公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
邱军
优先权 ：
CN202020450471.3
主分类号 ：
H01L23/13
IPC分类号 ：
H01L23/13 H01L23/498
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/12
安装架，例如不可拆卸的绝缘衬底
H01L23/13
按形状特点进行区分的
法律状态
2021-01-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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