SiC衬底、SiC衬底的制造方法、SiC半导体装置以及S...
公开
摘要
本发明所要解决的技术问题是提供一种与具有能够降低电阻的位错转变层的SiC衬底和SiC半导体相关的新技术。本发明是一种SiC衬底和一种SiC半导体装置，其包括掺杂浓度为1×1015cm‑3以上的位错转变层(12)。通过包括这样的掺杂浓度的位错转变层(12)，可以抑制基底面位错扩展而产生高电阻的层叠缺陷，可以降低制造SiC半导体装置时的电阻。
基本信息
专利标题 ：
SiC衬底、SiC衬底的制造方法、SiC半导体装置以及SiC半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114424343A
申请号 ：
CN202080065920.5
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2020-09-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金子忠昭
申请人 ：
学校法人关西学院;丰田通商株式会社
申请人地址 ：
日本国兵库县
代理机构 ：
北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
方挺
优先权 ：
CN202080065920.5
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/16 H01L21/04 C30B23/02 C30B29/36
法律状态
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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