半导体器件的制造方法、衬底处理装置、及程序
实质审查的生效
摘要
本发明包括(a)向配置于处理室的衬底供给处理气体而对衬底进行处理的工序、和(b)向处理室供给清洁气体而将附着于处理室内的部件的沉积物除去的工序，使从(b)的执行完成时至第n+1次进行的(a)的执行开始时为止的期间T2短于从第n次进行的(a)完成时至(b)开始执行时为止的期间T1。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的制造方法、衬底处理装置、及程序
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114556530A
申请号 ：
CN202080072930.1
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-12-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
西浦进清水英人猪岛香织
申请人 ：
株式会社国际电气
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
杨宏军
优先权 ：
CN202080072930.1
主分类号 ：
H01L21/205
IPC分类号 ：
H01L21/205 H01L21/31 C23C16/44 C23C16/52
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/205
应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/205
申请日 : 20201208
申请日 : 20201208
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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