本发明涉及一种半导体装置的制造方法，所述制造方法在防止对衬底的热破坏或热预算增大的同时，在衬底与薄膜之间以低氧·碳密度形成高品质界面。所述制造方法包括下述步骤：将晶片搬入反应炉内的步骤；在反应炉内对晶片进行前处理的步骤；在反应炉内对进行了前处理的晶片进行主处理的步骤；将主处理后的晶片搬出反应炉的步骤；其中，在前处理步骤结束后至主处理开始的期间，至少在对反应炉进行真空排气时，向反应炉内一直持续供给氢气。