半导体衬底的制造方法和半导体衬底的制造装置
公开
摘要
本发明所要解决的技术问题是提供一种能够生长高质量的半导体衬底的新技术。为了解决上述问题，本发明实现了一种半导体衬底的制造方法及其制造装置，所述半导体衬底的制造方法包括：设置步骤，交替设置原衬底和原料体；以及加热步骤，加热所述原衬底和所述原料体并在所述原衬底上形成生长层。通过采用这样的结构，本发明可以在多个原衬底各自中同时实现期望的生长条件，因而可以提供一种能够生长高质量的半导体衬底的新技术。
基本信息
专利标题 ：
半导体衬底的制造方法和半导体衬底的制造装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114423888A
申请号 ：
CN202080065953.X
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2020-09-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金子忠昭小岛清
申请人 ：
学校法人关西学院;丰田通商株式会社
申请人地址 ：
日本国兵库县
代理机构 ：
北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
方挺
优先权 ：
CN202080065953.X
主分类号 ：
C30B23/06
IPC分类号 ：
C30B23/06 C30B29/36
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B23/00
冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
C30B23/02
外延层生长
C30B23/06
沉积室、衬底或欲蒸发材料的加热
法律状态
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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