半导体衬底、半导体装置和其制造方法
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摘要
本发明涉及一种半导体衬底、一种具有高载流子迁移率的半导体装置和一种制造所述半导体装置的方法。根据本发明，提供：一种半导体衬底，其包含一硅衬底、一形成在所述硅衬底上的单晶体锗层和一形成在所述单晶体锗层上的硅层；一种半导体装置，其包含一形成在所述半导体衬底上的栅电极和形成在所述衬底中所述栅电极两侧上的结；和一种制造所述半导体装置的方法。因此，由于半导体装置的沟道是安置在所述锗层内，所以可增强沟道的载流子迁移率。而且，由于硅层是形成在所述锗层上，所以可形成可靠的栅极绝缘膜，并且还可减少结层中所产生的泄漏电流。此外，可在不使用昂贵的锗晶片的情况下获得相同效果。因此，由于可按原样使用传统的方法和装备，所以可制造出高度有效的半导体装置而不需要增加产品的单位成本。
基本信息
专利标题 ：
半导体衬底、半导体装置和其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1801495A
申请号 ：
CN200510127975.1
公开（公告）日 ：
2006-07-12
申请日 ：
2005-12-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄喆周
申请人 ：
周星工程股份有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王允方
优先权 ：
CN200510127975.1
主分类号 ：
H01L29/02
IPC分类号 ：
H01L29/02 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2009-07-08 ：
授权
2008-02-06 ：
实质审查的生效
2006-07-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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