半导体器件的制造方法以及衬底处理装置

专利申请权、专利权的转移

摘要

本发明公开一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：第1步骤，对收容于处理室内的衬底供给第1反应物质，使存在于上述衬底的表面的作为反应点的配位基与该第1反应物质的配位基发生配位基交换反应；第2步骤，从上述处理室除去剩余的上述第1反应物质；第3步骤，对上述衬底供给第2反应物质，使由上述第1步骤交换后的配位基对反应点发生配位基交换反应；第4步骤，从上述处理室除去剩余的上述第2反应物质；第5步骤，对上述衬底供给由等离子所激励的第3反应物质，使在上述第3步骤中未对反应点进行交换反应的配位基对反应点发生配位基交换反应，反复进行上述第1～第5步骤预定次数，直到在上述衬底的表面形成所希望厚度的膜。

基本信息

专利标题：

半导体器件的制造方法以及衬底处理装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101527263A

申请号：

CN200910128305.X

公开（公告）日：

2009-09-09

申请日：

2006-02-15

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

宫博信丰田一行水野谦和佐藤武敏境正宪浅井优幸奥田和幸堀田英树

申请人：

株式会社日立国际电气

申请人地址：

日本东京都

代理机构：

北京市金杜律师事务所

代理人：

王茂华

优先权：

CN200910128305.X

主分类号：

H01L21/31

IPC分类号：

H01L21/31 H01L21/3105 C23C16/44 C23C16/56

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/30

用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的

H01L21/31

在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择

法律状态

2018-12-25 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/31
登记生效日 : 20181205
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 株式会社日立国际电气
变更后权利人 : 株式会社国际电气
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京都
变更后权利人 : 日本东京都

2013-03-20 ：

授权

2009-11-04 ：

实质审查的生效

2009-09-09 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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