半导体器件的制造方法、衬底处理方法、记录介质及衬底处理装...
实质审查的生效
摘要
本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理方法、记录介质及衬底处理装置。能够提高被覆率。包括：(a)将衬底收容于处理容器的工序、(b)向衬底供给含有氢和氧的第1气体的工序、(c)向衬底供给含有氮和氢的第2气体的工序、(d)向衬底供给含有卤素的第3气体的工序、和(e)向衬底供给反应气体的工序，并且包括(f)进行(b)和(c)的工序，和(g)通过在(f)之后进行(d)和(e)，从而在上述衬底形成膜的工序。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的制造方法、衬底处理方法、记录介质及衬底处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551220A
申请号 ：
CN202111399200.5
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-11-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
清野笃郎小川有人松野豊
申请人 ：
株式会社国际电气
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
牛蔚然
优先权 ：
CN202111399200.5
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/8239 H01L27/108 H01L27/11524 H01L27/1157
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20211119
申请日 : 20211119
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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