衬底杂质移除方法及衬底处理设备
公开
摘要
本公开涉及一种缩短移除杂质的时间且提高移除杂质的效率的衬底杂质移除方法及衬底处理设备。衬底杂质移除方法包括：使设置在第一腔室部件中的衬底的温度升高到杂质移除温度的温度升高过程；将衬底从第一腔室部件转移到第二腔室部件的转移过程；以及将转移到第二腔室部件中的衬底维持在杂质移除温度的维持过程。
基本信息
专利标题 ：
衬底杂质移除方法及衬底处理设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628231A
申请号 ：
CN202111500160.9
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-12-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
辛东烈西门瑄朴俊雨
申请人 ：
AP系统股份有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道华城市东滩面东滩产团8便道15-5
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
王蕊
优先权 ：
CN202111500160.9
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/67 B08B7/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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