衬底处理系统及衬底处理方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种衬底处理系统及衬底处理方法。衬底处理系统包含：保护膜形成液供给单元，向衬底的一面供给保护膜形成液；保护膜形成单元，使保护膜形成液固化或硬化，而在衬底的一面形成保护膜；吸附单元，吸附衬底的一面；处理单元，在衬底的一面吸附于所述吸附单元的状态下，对该衬底的另一面执行指定的处理；及去除液供给单元，具有供去除所述保护膜的去除液喷出的去除液喷出口，从所述去除液喷出口朝向衬底的一面供给去除液。
基本信息
专利标题 ：
衬底处理系统及衬底处理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446821A
申请号 ：
CN202111260510.9
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-10-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
石井弘晃村元僚石井淳一西田崇之
申请人 ：
株式会社斯库林集团
申请人地址 ：
日本京都
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
陈甜甜
优先权 ：
CN202111260510.9
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/683 H01L21/687
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20211028
申请日 : 20211028
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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