衬底处理装置
实质审查的生效
摘要
本发明的课题是，在将衬底(W)浸渍于处理槽(821)中贮存的处理液内，并且在处理液内向所述衬底(W)供给气泡而对其进行处理的衬底处理系统(1)中，缩小气泡(V)的尺寸，提高衬底的处理品质。本发明是一种衬底处理装置，包含：处理液喷出部(830)，形成处理液的液流(L)，该液流(L)从保持于衬底保持部(810)的衬底(W)的下方沿着衬底(W)流向上方；及气泡供给部(840)，配置在处理液喷出部(830)与衬底保持部(810)之间，向处理槽(821)中贮存的处理液内供给气泡(V)；且气泡供给部(840)具有：气体供给管(842)，向内部供给气体；及气泡喷出口(845)，设置于气体供给管(842)，向衬底的排列方向喷出气泡(V)。
基本信息
专利标题 ：
衬底处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334716A
申请号 ：
CN202111172547.6
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-10-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高桥朋宏武知圭佐佐木光敏秋山刚志
申请人 ：
株式会社斯库林集团
申请人地址 ：
日本京都
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
陈甜甜
优先权 ：
CN202111172547.6
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/677
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20211008
申请日 : 20211008
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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