衬底处理装置
授权
摘要
本发明提供一种衬底处理装置，所述衬底处理装置能够防止顶盖通过衬底处理装置的自身重量和/或由真空泵产生的真空吸引力和/或高温过程下的热冲击而在包含多个反应器的腔室中向下方下垂。并且，提供一种用于在多个反应器之间传递衬底的旋转轴。
基本信息
专利标题 ：
衬底处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109326537A
申请号 ：
CN201810835270.2
公开（公告）日 ：
2019-02-12
申请日 ：
2018-07-26
授权号 ：
CN109326537B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
李主日金熙哲金大渊
申请人 ：
ASM知识产权私人控股有限公司
申请人地址 ：
荷兰阿尔梅勒佛斯特卡尔斯瑞特8,AP1322
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨文娟
优先权 ：
CN201810835270.2
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2019-03-08 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20180726
申请日 : 20180726
2019-02-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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