衬底处理装置及衬底处理方法
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种衬底处理装置和衬底处理方法。衬底处理装置包括：能够减压的反应室、具有形成有通孔(10)、(11’)、(11)的气体扩散板(9)且将处理气体供到反应室内部的喷头以及用以设置衬底的衬底支承部。设在气体扩散板(9)的周边区域的通孔(11’)、(11)，其入口部分的面积大于出口部分的面积。因为若使用该装置，便能将处理气体均匀地供到气体扩散板内，所以能够均匀地进行膜沉积、膜蚀刻等衬底处理。因此，提供的是一种能够在晶片面内均匀地进行衬底处理的衬底处理装置及衬底处理方法。
基本信息
专利标题 ：
衬底处理装置及衬底处理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1763913A
申请号 ：
CN200510108591.5
公开（公告）日 ：
2006-04-26
申请日 ：
2005-10-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
松原俊夫佐藤宏行内岛秀人
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
汪惠民
优先权 ：
CN200510108591.5
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00 H01L21/3065 H01L21/31 H01L21/205 C23C16/44 C23F4/00 C30B25/14 C30B33/12
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2014-12-03 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101590515382
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利号 : ZL2005101085915
申请日 : 20051010
授权公告日 : 20090527
终止日期 : 20131010
号牌文件序号 : 101590515382
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利号 : ZL2005101085915
申请日 : 20051010
授权公告日 : 20090527
终止日期 : 20131010
2009-05-27 ：
授权
2007-12-19 ：
实质审查的生效
2006-04-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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