衬底处理方法和设备
授权
摘要
提供了一种处理衬底上的材料层的方法。所述方法包括：通过匹配网络将RF功率从RF电源输送到电容耦合等离子体腔室的喷头；点燃所述电容耦合等离子体腔室内的等离子体；相对于所述RF功率的基本频率的相位测量所述RF功率的一个或多个谐波信号的一个或多个相位角；以及基于一个或多个相位角测量来相对于所述RF功率的所述基本频率的所述相位调整所述RF功率的至少一个谐波信号的至少一个相位角。
基本信息
专利标题 ：
衬底处理方法和设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110870040A
申请号 ：
CN201880045558.8
公开（公告）日 ：
2020-03-06
申请日 ：
2018-06-29
授权号 ：
CN110870040B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
吴玉伦J·库德拉卡尔·A·索伦森苏希尔·安瓦尔
申请人 ：
应用材料公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN201880045558.8
主分类号 ：
H01J37/32
IPC分类号 ：
H01J37/32 H03H7/38
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2020-03-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01J 37/32
申请日 : 20180629
申请日 : 20180629
2020-03-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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