衬底处理装置以及半导体设备的制造方法
专利申请权、专利权的转移
摘要
改善真空隔绝方式的预备室中的气体的流动。真空隔绝方式的衬底处理装置包括：收容衬底(1)并对衬底进行处理的处理室(34)；与处理室(34)连续设置的预备室(23)；将保持着多片衬底(1)的衬底保持件(50)运入以及运出处理室(34)的衬底保持件用机构部(40)；向预备室(23)供给惰性气体的惰性气体供给口(61)；以位于惰性气体供给口(61)上侧的方式设置在预备室(23)，并对惰性气体进行排气的第一排气口(71)；对预备室(23)抽真空的第二排气口(81)；控制部(100)，该控制部在对通过第二排气口(81)进行了抽真空的预备室(23)内进行升压后，维持在规定压力时，控制从惰性气体供给口(61)供给的惰性气体仅从第一排气口(71)进行排气。
基本信息
专利标题 ：
衬底处理装置以及半导体设备的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101019213A
申请号 ：
CN200580030740.9
公开（公告）日 ：
2007-08-15
申请日 ：
2005-10-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
中岛诚世谷山智志寿崎健一高岛义和
申请人 ：
株式会社日立国际电气
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
陈伟
优先权 ：
CN200580030740.9
主分类号 ：
H01L21/31
IPC分类号 ：
H01L21/31
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
法律状态
2018-12-18 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/31
登记生效日 : 20181128
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 株式会社日立国际电气
变更后权利人 : 株式会社国际电气
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京都
变更后权利人 : 日本东京都
登记生效日 : 20181128
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 株式会社日立国际电气
变更后权利人 : 株式会社国际电气
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京都
变更后权利人 : 日本东京都
2009-01-28 ：
授权
2007-10-10 ：
实质审查的生效
2007-08-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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