半导体氧化设备和制造半导体元件的方法

专利权的终止

摘要

一种半导体氧化设备，其配有：由室壁界定的可密封氧化室；设置于氧化室内，并用来支撑半导体样品的基座；用于向所述氧化室供应对所述半导体样品的特定部分进行氧化的水蒸气的供应部分；监测窗，其设置于所述氧化室的室壁之一内，并且设置于能够面对支撑于所述基座上的所述半导体样品的位置处；监测部分，其设置于所述氧化室之外，并且能够经由所述监测窗面对支撑于所述基座上的半导体样品；以及调整所述基座和所述监测部分之间的距离的调整部分。

基本信息

专利标题：

半导体氧化设备和制造半导体元件的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1943020A

申请号：

CN200680000155.9

公开（公告）日：

2007-04-04

申请日：

2006-02-13

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

佐藤俊一轴谷直人伊藤彰浩梅本真哉禅野由明山本高稔

申请人：

株式会社理光

申请人地址：

日本东京都

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

杨梧

优先权：

CN200680000155.9

主分类号：

H01L21/31

IPC分类号：

H01L21/31 H01S5/183

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/30

用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的

H01L21/31

在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择

法律状态

2019-02-01 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/31
申请日 : 20060213
授权公告日 : 20110629
终止日期 : 20180213

2011-06-29 ：

授权

2007-05-30 ：

实质审查的生效

2007-04-04 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

1、

CN1943020A.PDF

PDF下载